帮助手册GB/T 25188-2010 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法现行
标准摘要
本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法(XPS)。
本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量;通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6nm。
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代替标准
现行标准
修改单
- 国别:
- 中国
- 英文名称:
- Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
- 中标分类:
- G 04
- ICS分类:
- 分析化学 > 化学分析
- 发布日期:
- 2010-09-26
- 实施日期:
- 2011-08-01
- 发布部门:
- 国家质量监督检验检疫总局＆国家标准化管理委员会
- 发布号:
- 无 点此查看此公告发布的标准
- 官方来源:
- 国家标准化管理委员会
- 起草单位:
- 中国科学院化学研究所＆中国计量科学研究院
- 本标准无引用标准
- 本标准无被引用标准
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